반도체 공학의 개념과 원리를 깨우치고 Show 이 책은 반도체 공학의 전반적인 개념과 원리를 명확히 이해하는 데 초점을 두었다. 원리를 이해할 수 있는 그림을 자세히 표현함으로써 직관적인 이해를 돕고 수식과 연계하여 생각할 수 있도록 하였다. 또한 반도체 공학의 핵심 동작 원리에 대한 질문을 던지고, 그 해답을 찾아내는 과정을 친절하게 설명함으로써 자칫 난해하게만 생각했던 반도체 공학에 좀 더 유연하게 접근할 수 있다. 이러한 과정은 반도체 공학에 입문하는 학생뿐만 아니라 반도체를 직접 다루는 실무자에게도 반도체 소자 개발 및 공정에 대한 기초를 확립할 수 있는 탄탄한 밑받침이 될 것이다 부/장별 내용 요약PART 1_물질의 이해와 양자이론 기본 개념 - 1장：물질 이해의 첫 단계로 원자의 구성요소와 원자 간 결합의 원리, 3차원 결정구조와 반도체의 종류를 살펴본다. - 2장：양자이론의 기초로 슈뢰딩거의 파동방정식을 유도한 후, 무한 양자우물과 계단함수, 유한 에너지장벽에 대해 해를 구해보고, 수소 원자에 적용 후 주기율표를 이해한다. 물리적 극한을 이해할 수 있는 불확정성 원리를 소개한다. - 3장：고체에 대하여 양자이론을 적용하여 에너지밴드 다이어그램 개념과 캐리어의 생성 및 이동현상을 이해하고, 반도체 내 입자의 상태밀도함수, 페르미?디랙 분포함수와 페르미 에너지를 살펴본다. PART 2_진성 및 외인성 반도체- 4장：진성 반도체에서 캐리어 농도와 페르미 에너지, 도펀트와 이온화에너지, 외인성 반도체에서 캐리어 농도와 페르미 에너지, 보상반도체에서 캐리어 농도와 열평형 과정 등을 살펴본다. - 5장：열평형상태에서 캐리어의 열속도 운동을 이해한 후, 전계에 의한 캐리어의 표동, 캐리어 농도 차이에 의한 확산을 살펴보고, 이동도와 확산계수 간의 아인슈타인 관계식을 살펴본다. - 6장：비평형상태에서 과잉 캐리어의 생성과 재결합, 의사-페르미 준위의 개념, 캐리어의 연속방정식과 앰비폴러 전송방정식, 이를 이용한 과잉 캐리어 농도의 시간 및 공간적 변화와 이동을 해석해본다. PART 3_pn 접합 다이오드와 금속-반도체 접합 - 7장：pn 접합의 열평형 동작특성과 에너지밴드 다이어그램, 역방향 바이어스일 때의 동작특성과 에너지밴드 다이어그램의 변화, 접합 커패시턴스 특성을 다룬다. - 8장：pn 접합 다이오드의 이상적인 전류-전압 관계, 소신호 동작과 등가 모델, 공핍 층의 재결합 전류와 생성 전류, 항복현상, 속도한계 등을 살펴보고, 태양전지와 터널 다이오드를 살펴본다. - 9장：금속-반도체 접합의 종류와 정류성 및 저항성 특성, 터널링 접합, 반도체 이종접 합을 다룬다. PART 4_바이폴라 트랜지스터 - 10장：바이폴라 트랜지스터의 구조, 4가지 동작 모드, 이상적인 전류?전압 특성, 비이상적인 여러 동작특성들, 등가회로 모델, 주파수 제약 등을 다룬다. PART 5_MOS 커패시터와 트랜지스터- 11장 ：MOS 커패시터의 구조, 게이트 전압에 따른 상 태 변화, 커패시턴스-전압 특성을 살펴본다.- 12장：MOS 트랜지스터의 구조, 이상적인 동작특성과 전류-전압 관계, 비이상적인 동작특성, 채널길이와 폭에 따른 문턱전압 변화와 문턱전압 조절 등을 다룬다.
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